produits

Le 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 est un produit à thyristor commuté par grille intégré (IGCT) d'ABB, appartenant à la série 5SHY.

L'IGCT est un nouveau type d'appareil électronique apparu à la fin des années 1990.

Il combine les avantages de l'IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) et du GTO (thyristor à coupure de grille) et présente les caractéristiques d'une vitesse de commutation rapide, d'une grande capacité et d'une grande puissance d'entraînement requise.

Plus précisément, la capacité du 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 est équivalente à celle du GTO, mais sa vitesse de commutation est 10 fois plus rapide que celle du GTO, ce qui signifie qu'il peut terminer l'action de commutation dans un temps plus court et ainsi améliorer l'efficacité de conversion de puissance.

De plus, par rapport au GTO, l'IGCT peut économiser le circuit d'amortissement énorme et compliqué, ce qui contribue à simplifier la conception du système et à réduire les coûts.

Il convient toutefois de noter que même si l’IGCT présente de nombreux avantages, la puissance motrice requise reste importante.

Cela pourrait augmenter la consommation énergétique et la complexité du système. De plus, bien que l'IGCT tente de remplacer le GTO dans les applications haute puissance, il fait toujours face à une concurrence féroce de la part d'autres nouveaux dispositifs (tels que l'IGBT).

Les transistors à commutation de grille intégrés (GCT) sont un nouveau dispositif semi-conducteur de puissance utilisé dans les équipements électroniques de puissance géants sortis en 1996.

L'IGCT est un nouveau dispositif de commutation à semi-conducteur haute puissance basé sur la structure GTO, utilisant une structure de grille intégrée pour le disque dur de grille, utilisant une structure de couche intermédiaire tampon et une technologie d'émetteur transparent à anode, avec les caractéristiques à l'état passant du thyristor et les caractéristiques de commutation du transistor.

Le 3BHBO18162R0001 (5SHY4045L000) utilise une structure tampon et une technologie d'émetteur peu profond, ce qui réduit la perte dynamique d'environ 50 %.

De plus, ce type d'équipement intègre également une diode de roue libre avec de bonnes caractéristiques dynamiques sur une puce, puis réalise la combinaison organique de la faible chute de tension à l'état passant, de la tension de blocage élevée et des caractéristiques de commutation stables du thyristor de manière unique.